材質	PET薄膜
額定電流	20
額定電壓	3V
類型	光學級/太陽能級
應用范圍	中和
品牌	砷化鎵GaAs（十二年賣家，中國誠信商家評級）

砷化鎵（GaAs）是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬。其具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性，廣泛應用于光電子和微電子工業。在光電子工業領域應用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LED（發光二極管）、LD（激光器）、光伏器件等；在微電子工業領域應用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導體場效應管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質結雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。
公司可提供半導體型和半絕緣型砷化鎵襯底，規格包括2英寸、3英寸、4英寸、6英寸和8英寸。亦可根據客戶需求制備不同用途的砷化鎵襯底片，相關參數范圍如下：
半導體（SC）型GaAs晶片規格